12月12-18日，2020 IEEE国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，IEDM）在美国旧金山通过线上召开。电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）功率集成技术实验室（PITEL）在大会上发表题为《An Improved Model on Buried-Oxide Damage for Total-Ionizing-Dose Effect on HV SOI LDMOS》的论文。博士生袁章亦安为论文第一作者，乔明教授为通讯作者，张波教授为共同作者。

　　抗辐射高压SOI LDMOS器件，因其易于集成、低损耗、开关速度快等优势，被认为在航天电子系统等所需高压功率集成电路应用中具有巨大潜力。该工作报道了负电场下总剂量辐射效应导致的埋氧层的上界面损伤，得到场值与界面损伤电荷的数值关系，修正了传统电离辐射总剂量损伤模型。在TCAD仿真软件中引入该改进模型，于SOI器件界面位置引入相应的电荷量，可精准预测高压SOI LDMOS器件辐射后的退化行为。实验获得的抗辐射高压SOI LDMOS器件在关态偏置条件下具有500krad（Si）的抗辐照水平。受会议程序委员会主席Tibor Grasser邀请，该论文的扩展版本将发表在电子器件领域权威期刊IEEE Transaction on Electron Devices的Special issue上。

　　具有六十多年历史的IEEE IEDM是微电子器件领域的顶级会议，在国际半导体技术界享有崇高的学术地位和广泛的影响力，被外媒誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。该会议主要报道国际半导体技术方面的最新研究进展，是国际著名高校、研发机构和英特尔、台积电、三星、IBM等企业报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台，近年来，集成电路技术领域的许多重大技术突破都是通过该会议正式发布。功率半导体领域的顶级国际学术会议 IEEE ISPSD（IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）就是从IEDM会议中分离出来的。

　　功率半导体器件与集成技术是电子科技大学微电子领域的特色学科方向，是电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室的三大主要学术研究方向之一，为四川省功率半导体技术工程研究中心主体研究内容，也是电子科技大学集成电路研究中心的重要组成部分。