国家重点研发计划“GaN基新型电力电子器件关键技术”年度交流会议召开
西电新闻网讯 (通讯员 李鹏 王霄)1月12日,由西安电子科技大学敖金平教授牵头承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项项目“GaN基新型电力电子器件关键技术”的年度交流会在深圳大学物理光电中心举行。西电微电子学院和科研院以及来自北京大学、南京大学、深圳大学等13家参研单位的课题负责人、科研骨干等15余人参加了会议。
会议由项目负责人敖金平教授主持,首先敖金平教授向各位成员汇报了项目2018年的工作情况,本年度研究工作进展顺利,完成了预期的研究任务,达到了预期的技术指标和成果指标,同时对项目2018年进展过程中存在的问题提出相应的解决办法。随后针对2019年10月底即将来临的项目中期检查任务,敖金平教授提出了对项目2019年的进展要求,希望各课题组能够在2019年再接再厉,努力解决GaN基电力电子器件关键技术中的“卡脖子”问题,并积极实现科研走向产业的成果转化。
随后,项目的四个课题课题负责人分别针对各自课题作了研究报告。课题一由敖金平教授介绍了2018年高阈值电压高速度常关型GaN基平面功率器件方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题二由北京大学王茂俊副教授介绍2018年度高耐压GaN基垂直结构功率器件方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题三由南京大学叶建东教授介绍2018年度 GaN基功率器件雪崩击穿效应与新型耐压结构方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题四由深圳大学刘新科副教授介绍2018年度高频高效率超小型GaN基功率开关电源模块方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。
经过本次年度会议的交流,各参研单位对各自研究方向的认识更加深刻,对完成2019年的中期检查更有信心,并力争在2019年取得更大的成绩。
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