西电新闻网讯（通讯员 汪兆凌 杨文豪 厉成江）随着微波器件及光电子器件的发展，电子学的深入研究对器件提出了愈来愈高的要求，特别是需要大功率、高频、高速、高温以及在恶劣环境中工作的器件。由于宽禁带半导体材料的禁带宽度比硅宽得多，其一般具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度、载流子饱和漂移速度和热导率，但两者的载流子迁移率相差不大。因此，相对于硅器件来说，基于宽禁带半导体材料的电力电子器件将具有更高的耐受电压能力、更低的通态电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射能力。

为丰富同学知识体系，拓展专业视野，认识科技发展的前沿，使学生更加深入了解微电子行业的发展现状和未来前景，并提早为后续的深入学习打下坚实基础。海棠9号书院与微电子学院协同合作，从2020年秋季学期开始为三年级同学开设系列专家、学者讲座，分别由包括院士、长江学者、杰青等在内的32名教授、博导担任主讲，主要介绍技术热点、学术前沿、学习与科研方法等方向，助力人才的多元化培养。11月18日晚，微电子学院冯倩教授做客“漫道”讲堂，以“宽禁带半导体Ga2O3材料与器件的研究进展”为主题与同学们展开交流。

冯倩教授简介

冯教授首先介绍了我国半导体行业的严峻形势，包括华为由于MOSFET栅长发展所受到限制导致的仅能设计却无法生产的问题。她指出，除此以外，国防安全的发展也不容忽视，冯教授向同学们就国防军事相关工作原理知识展开介绍。冯教授指出，随着中美关系的紧张，中国军用进口器件受到限制，该问题已经上升到了国家安全层面，而被限制进口的材料当中就有一种至关重要的材料——碳化硅。碳化硅在今天不仅用于国防，在汽车电子等行业也得到了广泛应用。

冯教授介绍Ga2O3材料特点

通过对碳化硅的介绍冯教授引出了当今的一个研究热点——氧化镓，她从材料特点、材料外延生长方法、薄膜材料生长方法和基于氧化镓材料的器件研究四个方面对氧化镓进行介绍，并进一步介绍了氧化镓的应用和氧化镓MOSFET器件，让同学们对氧化镓这种宽禁带半导体有了更深刻的理解。

冯教授的介绍让同学们清楚意识到当今中国在集成电路行业上所面临的严峻形式和氧化镓材料对半导体行业发展的重要性。本期的“漫道”讲堂不仅向同学们介绍了氧化镓这种新兴半导体材料，更让同学们感受到了行业危机和时代责任，相信同学们能够脚踏实地学习，放眼未来时代发展，继而书写微电子行业的时代新篇章。

欢迎关注B站UP主“海棠九号书院”