西电新闻网讯（通讯员 黄茜 卞学愚）碳化硅半导体是新型半导体材料,其热导效率高,功率大。采可以用于超200℃以上的稳定环境工作,而且碳化硅还可以有效缩短冷却负担,实现小型一体化。为了保持航天、军事和能源上的优势，国家将发展碳化硅半导体技术放在极其重要的战略地位，相继投入了大量的人力和资金对碳化硅材料和器件技术进行了广泛深入的研究。11月4日晚，微电子学院张玉明教授做客“漫道”讲堂，以“碳化硅功率器件的应用及其存在的问题”为主题向同学们介绍了碳化硅器件的发展现状。

张教授从“一、发展碳化硅的背景以及必要性”“二、碳化硅在系统应用中的优势”“三、碳化硅芯片技术挑战”“四、功率器件主要研究进展”“五、结论与展望”五个方面，细致全面的介绍了碳化硅的发展现状及其前景。

正如张教授所说，科研中最重要的环节就是选择方向，选择科研方向应该要面向国际前沿，面向国民经济，面向国家重大需求，面向人民生命健康。碳化硅具有高禁带宽度，高导热率，高临界击穿电场，高漂移率等优越的材料特性，在新能源汽车领域具有广阔的应用前景，但也面临着诸多问题。例如：体二极管退化，阈值电压漂移，栅氧可靠性等问题。SiC器件的应用设计的难点主要在于寄生参数影响，SiC器件驱动设计，可靠性和高频EMC问题。

西电作为我国宽禁带半导体技术研究的开创单位之一，在碳化硅功率器件邻域取得了多项突破性进展，碳化硅功率邻域的专利授权所有数量位居全国第一，为解决上述存在问题做出了巨大贡献。例如：高温稳定性欧姆接触技术、MOS栅氧界面缺陷机理和界面控制改善技术，高功率高良率高压终端仿真设计……西电的多项专利在SiC功率器件邻域得到了广泛应用。

张教授说到，在“中国制造2025”的国家战略部署中，将绿色发展列为基本方针，集成电路及其设备被放在新一代信息技术产业的首位。第三代半导体刚刚起步，我们需要大量的时间和大量的人才，但是技术积累和突破是需要长时间的坚持和专注。国内SiC产业供应链基本形成，但是与国际差距明显。因此，第三代半导的发展之路任重而道远，需要同学们的共同努力。

国家为半导体行业的核心技术发展提供了巨大的扶持资金，商业资本的关注热度也逐渐升温，这在一定程度上为行业发展带来了机遇。在集成电路的设计发展中离不开高端人才的培养，西电微院作为“国家集成电路人才培养基地”担负起为国家培养高端技术人才的重要使命。莘莘学子身上肩负着书写中国半导体辉煌历史的重要责任。相信在国家、社会、学校的支持下，在科技前辈的带领下，西电微院学子定能开创中国半导体行业发展新局面。