西电新闻网讯（通讯员 关凯锋 王皎）8月27日上午，中关村顺义园产业发展处处长王政权、北京市科委新材料和新能源科技发展中心科技项目部部长潘长波等一行领导莅临国家工程研究中心，双方就在第三代半导体领域开展合作进行交流座谈。会议在东大楼321B会议室举行，科学研究院成果与科技开发管理部部长张毅主持座谈会，校长助理、科学研究院院长张进成，国家工程中心主任马晓华、副主任马佩军等参加会议。

张进成代表学校对各位领导的到来表示欢迎，并简要介绍了学校基本情况。他指出，西安电子科技大学作为电子类高校，具有以下三个特色：一是电子信息类学科特色，拥有电子科学与技术、信息与通信工程、计算机科学与技术三个A类学科；二是国防特色，“半部电台起家、长征路上办学”是西电的光荣校史；三是人才培养特色，建校至今共培养出二十三名院士校友，全国高校排名十三。

张进成强调，西安电子科技大学根据总书记在科技创新方面提出的问题进行了整体规划：一是有组织地开展科研活动；二是大力推进产学研融合，促进科技成果转化；三是加强基础研究，促进原始创新。他表示，很期待与创新基地在人才培养、基础研究、成果转化等各个领域开展战略合作。

王政权肯定了西电在强国、强党、强军等方面的突出贡献。他表示，北京市政府将围绕第三代半导体打造六英寸中试平台、检验检测平台、封装平台和科技服务平台。近年来针对第三代半导体在标准厂房、优惠政策、评价体系、专家团队建设等方面已做了大量的基础工作，此次前来，希望双方能够深入对接，落实合作，按照“共享共建，分步实施”的原则，共同建设第三代半导体协同创新平台。

潘长波指出，北京市政府高度重视第三代半导体产业发展，顺义区作为第三代半导体建设的承载地，建立市区两级专班，全力推进建设进展。自2007年将第三代半导体纳入新材料科技专项以来，北京市科委已支持资金近3亿元。希望能与宽禁带半导体国家工程研究中心达成合作，实现优势资源互补，共同推进第三代半导体产业蓬勃发展。

马佩军介绍了宽禁带半导体国家工程研究中心的历史沿革、人才培养、科研体系、科研成果等内容。重点介绍了紫外及深紫外LED、钙钛矿太阳能电池、物理瞬态电子器件等前沿技术的研究进展及产业化前景。

张志国介绍了创新基地的基本情况，邀请西电共同建设第三代半导体产业集群，建立从人员到技术、资源的专业化生态体系，将创新基地打造成国际领先的战略区域。

双方就合作方式进行了良好磋商。

第三代半导体和新材料产业平台、北京国联万众半导体科技有限公司相关负责人、科学研究院相关部门负责人参加了座谈。