■ 通讯员 胡浩 程远

新冠肺炎疫情期间，国家脉冲强磁场科学中心认真贯彻落实党中央、各级政府和学校疫情防控的决策部署，在做好居家隔离、齐心协力打赢疫情防控阻击的同时，合理规划工作学习时间，积极开展科学研究，2020年前4个月取得了一系列重要研究进展，高水平科研成果比2019年同期进一步提升。

图 1

图 2

1月31日和2月3日，《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）、《自然?电子》（Nature Electronics）先后刊发中心微纳电子器件课题组关于二维范德华异质结的研究论文。在“基于二维异质结构的可重构逻辑存储一体器件和多语人工突触”（Reconfigurable logic-in-memory and multilingual artificial synapses based on 2D heterostructures）论文中，展示了基于二维半导体黑磷和二硫化铼的二维范德华异质结构用于实现非易失性三进制逻辑运算器件（图1），其中黑磷界面处的超薄氧化物层起到了俘获电荷并实现存储信息的作用，为基于新颖的二维异质结构实现多功能非易失性存储器及逻辑应用提供了一种途径。在另一篇“基于范德华异质结的垂直隧穿场效应晶体管”（A transverse tunnelling field-effect transistor made from a van der Waals heterostructure）论文中，提出了一种由二维黑磷/氧化铝/黑磷结构制成的高效隧穿器件（图2），室温下峰谷比即可超过100，同时能够在360 K至70 K的温度范围内实现超陡亚阈值斜率，以仅为玻尔兹曼极限1/10的体因子（栅极电压相对变化与表面电势相对变化的比值）进行电流的陡峭开关。